casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / GDZ4V7B-E3-08
codice articolo del costruttore | GDZ4V7B-E3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-GDZ4V7B-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ4V7B-E3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 4.7V |
Tolleranza | ±2% |
Potenza - Max | 200mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 100 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 1V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ4V7B-E3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GDZ4V7B-E3-08-FT |
GDZ27B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V0B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V0B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V0B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFECP6E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-2FG484I
Microsemi Corporation
M7AFS600-1FG484
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6
Intel
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SEEBH40I3N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
A54SX08-2FGG144I
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC240-3
Intel