casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / GDZ3V6B-HE3-18
codice articolo del costruttore | GDZ3V6B-HE3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-GDZ3V6B-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ3V6B-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 3.6V |
Tolleranza | ±2% |
Potenza - Max | 200mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 100 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ3V6B-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GDZ3V6B-HE3-18-FT |
GDZ20B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ20B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ22B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ22B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ22B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ22B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ22B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ22B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ22B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ22B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX75-N3FG676C
Xilinx Inc.
XC2S150-6PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG256I
Microsemi Corporation
A3PE600-2PQG208I
Microsemi Corporation
A1415A-1VQ100C
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2LN
Intel
EP3SE80F1152C4
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation