casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / GDZ3V6B-G3-18
codice articolo del costruttore | GDZ3V6B-G3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-GDZ3V6B-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ3V6B-G3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 3.6V |
Tolleranza | ±2% |
Potenza - Max | 200mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 100 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ3V6B-G3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GDZ3V6B-G3-18-FT |
GDZ20B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ20B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ20B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ20B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ22B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ22B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ22B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ22B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ22B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ22B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V8000-5FFG1517I
Xilinx Inc.
XC3S200A-5VQ100C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010-1FG484I
Microsemi Corporation
A3P030-VQG100I
Microsemi Corporation
AT40K05LV-3DQI
Microchip Technology
EPF10K50SFC256-2
Intel
5SGXEA7K3F40I3
Intel
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F45E3SG
Intel