casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / GDZ13B-E3-18

| codice articolo del costruttore | GDZ13B-E3-18 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-GDZ13B-E3-18 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | Automotive, AEC-Q101 |
| GDZ13B-E3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 13V |
| Tolleranza | ±4% |
| Potenza - Max | 200mW |
| Impedenza (Max) (Zzt) | 37 Ohms |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 10V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| GDZ13B-E3-18 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | GDZ13B-E3-18-FT |

BZX384C3V9-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C43-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C43-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C43-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C43-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C43-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C43-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C47-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C47-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C47-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

XA3S50-4PQG208Q
Xilinx Inc.

AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation

LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO640E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation

10AX090N3F40I2SG
Intel

EP2S130F1508C5N
Intel

EP4SGX70DF29C4N
Intel

EP1S25F780C7N
Intel

EP20K60EQC208-1X
Intel