casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / GDP48Y060B
codice articolo del costruttore | GDP48Y060B |
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Numero di parte futuro | FT-GDP48Y060B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Amp+™ |
GDP48Y060B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 24A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 24A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 600V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 135°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDP48Y060B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GDP48Y060B-FT |
IDW40G120C5BFKSA1
Infineon Technologies
IDW60C65D1XKSA1
Infineon Technologies
IDW20G120C5BFKSA1
Infineon Technologies
IDW80C65D2XKSA1
Infineon Technologies
IDW20C65D2XKSA1
Infineon Technologies
IDW80C65D1XKSA1
Infineon Technologies
IDW20G65C5BXKSA1
Infineon Technologies
IDW20S120FKSA1
Infineon Technologies
IDW24G65C5BXKSA1
Infineon Technologies
IDW30S120FKSA1
Infineon Technologies
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PN125-ZVQG100
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC7VX550T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQ176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35C4N
Intel
EPF6016BI256-3
Intel