casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / GDP30D120B
codice articolo del costruttore | GDP30D120B |
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Numero di parte futuro | FT-GDP30D120B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Amp+™ |
GDP30D120B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 135°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDP30D120B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GDP30D120B-FT |
DSA70C200HB
IXYS
DSP8-08A
IXYS
DSA80C100PB
IXYS
DSSK20-015A
IXYS
DHG10C600PB
IXYS
DHG20C1200PB
IXYS
DHG20C600PB
IXYS
DHG40C600PB
IXYS
DPG20C200PB
IXYS
DPG20C300PB
IXYS
EX128-TQ64I
Microsemi Corporation
XC2S50-5FGG256C
Xilinx Inc.
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484M
Microsemi Corporation
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19C6N
Intel
5CGXFC7C7U19C8N
Intel
10AX057N2F40E2SG
Intel
EP20K1000CB652C7N
Intel
EPF10K50SQC208-3
Intel