casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / GD5F4GQ4UBYIGY
codice articolo del costruttore | GD5F4GQ4UBYIGY |
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Numero di parte futuro | FT-GD5F4GQ4UBYIGY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD5F4GQ4UBYIGY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frequenza di clock | 120MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WSON (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD5F4GQ4UBYIGY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GD5F4GQ4UBYIGY-FT |
71V016SA10PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA10PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA20PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA20PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA20PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation