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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ4UF9IGR

Numero parte MFG
GD5F2GQ4UF9IGR
quantità disponibile
61140 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 3.240504
Il nostro prezzo
Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
Data di spedizione
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fabbricante
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Breve descrizione
- SPI NAND FLASH
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Memoria
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-GD5F2GQ4UF9IGR
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
GD5F2GQ4UF9IGR Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo di memoria Non-Volatile
Formato di memoria FLASH
Tecnologia FLASH - NAND
Dimensione della memoria 2Gb (256M x 8)
Frequenza di clock 120MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina 700µs
Tempo di accesso -
Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O
Tensione - Fornitura 2.7V ~ 3.6V
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-WLGA Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore 8-LGA (6x8)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GD5F2GQ4UF9IGR Peso Contattaci
Numero parte di ricambio GD5F2GQ4UF9IGR-FT

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