casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / GD25VE20CSIGR
codice articolo del costruttore | GD25VE20CSIGR |
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Numero di parte futuro | FT-GD25VE20CSIGR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD25VE20CSIGR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 2Mb (256K x 8) |
Frequenza di clock | 104MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
Tensione - Fornitura | 2.1V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25VE20CSIGR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GD25VE20CSIGR-FT |
W25Q80DVSVIG
Winbond Electronics
W25Q80DVSVIG TR
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W25Q80EWSNIG TR
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W25Q80EWSVIG
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W25Q80EWSVIG TR
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W25X05CLSNIG
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W25X05CLSNIG TR
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W25X10CLSNIG
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W25X10CLSNIG TR
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W25X20CLSNIG TR
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EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
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5SGXEB6R2F43C2L
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EP4SE360F35C4
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XC5VLX50T-3FF1136C
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XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
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A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
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EP1S25F1020I6N
Intel