casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / GD25LD10CTIGR
codice articolo del costruttore | GD25LD10CTIGR |
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Numero di parte futuro | FT-GD25LD10CTIGR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD25LD10CTIGR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frequenza di clock | 50MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 55µs, 6ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Dual I/O |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 2V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25LD10CTIGR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GD25LD10CTIGR-FT |
IS25LQ025B-JBLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS25LQ025B-JBLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS25LQ025B-JNLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS25LQ032B-JBLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS25LQ032B-JNLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS25LQ040B-JBLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS25LQ040B-JNLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS25LQ512B-JBLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS25LQ512B-JNLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS25WP016-JBLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel