casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU8M-7001E3/51
codice articolo del costruttore | GBU8M-7001E3/51 |
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Numero di parte futuro | FT-GBU8M-7001E3/51 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU8M-7001E3/51 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 3.9A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 8A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU8M-7001E3/51 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU8M-7001E3/51-FT |
GBU4JL-7002M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4JL-7088E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4JL-7088M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4K-5400M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4KL-6437E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4KL-6437M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4KL-7014M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4M-7001E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4ML-5001E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4ML-5001M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
M1AGL1000V2-FGG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
EP4CE55F23C8L
Intel
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XA6SLX4-3CSG225I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EP1K10QC208-2N
Intel