casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU8J-001E3/51
codice articolo del costruttore | GBU8J-001E3/51 |
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Numero di parte futuro | FT-GBU8J-001E3/51 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU8J-001E3/51 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3.9A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 8A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU8J-001E3/51 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU8J-001E3/51-FT |
GBLA06L-6985M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC104L-6740E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC106-5700E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC1508W/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC3506W/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC6005/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC604/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC606/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC608/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4A-1E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD5K1F40C2L
Intel
EP4SGX290KF43I4N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
XC4VFX100-10FF1152C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel