casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU8B-E3/51
codice articolo del costruttore | GBU8B-E3/51 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-GBU8B-E3/51 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU8B-E3/51 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3.9A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 8A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU8B-E3/51 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU8B-E3/51-FT |
GSIB2560-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB1560-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2580-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2080-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB680-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LVB1560-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB15A60-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB660-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB620-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB1580N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-2000ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG176
Microsemi Corporation
A42MX09-FVQG100
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I3N
Intel
5SGXMB5R3F40I4N
Intel
EP20K100EFI144-2X
Intel
XC5VLX50-2FFG676C
Xilinx Inc.
AGL030V5-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE2-6E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation