casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU810-G
codice articolo del costruttore | GBU810-G |
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Numero di parte futuro | FT-GBU810-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU810-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 4A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU810-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU810-G-FT |
KBPC5006-G
Comchip Technology
KBPC3502-G
Comchip Technology
KBPC3506-G
Comchip Technology
KBPC3504-G
Comchip Technology
KBPC10005-G
Comchip Technology
KBPC1001-G
Comchip Technology
KBPC1002-G
Comchip Technology
KBPC1006-G
Comchip Technology
KBPC1008-G
Comchip Technology
KBPC15005-G
Comchip Technology
A40MX02-1VQG80M
Microsemi Corporation
APA150-PQG208
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484C8
Intel
EP2AGZ225HF40I3N
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EP20K200EQC208-1
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