codice articolo del costruttore | GBU808 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-GBU808 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU808 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 4A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU808 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU808-FT |
MB151-F
Diodes Incorporated
MB152
Diodes Incorporated
MB152-F
Diodes Incorporated
MB154
Diodes Incorporated
MB154-F
Diodes Incorporated
MB156
Diodes Incorporated
MB156-F
Diodes Incorporated
MB2505
Diodes Incorporated
MB2505-F
Diodes Incorporated
MB251
Diodes Incorporated
LFEC1E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016ATC100-2
Intel
EP4CE22F17C8LN
Intel
EPF10K100EFC256-2X
Intel
EP3SE110F1152I4
Intel
XC7VX1140T-L2FLG1930E
Xilinx Inc.
AGL060V5-QNG132I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40I1SG
Intel