casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU802GTB
codice articolo del costruttore | GBU802GTB |
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Numero di parte futuro | FT-GBU802GTB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU802GTB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-ESIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU802GTB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU802GTB-FT |
KMB23STR
SMC Diode Solutions
KMB245STR
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KMB24STR
SMC Diode Solutions
KMB25STR
SMC Diode Solutions
KMB26STR
SMC Diode Solutions
KMB28STR
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KMB225STR
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GBJ2006TB
SMC Diode Solutions
GBJ2010TB
SMC Diode Solutions
GBJ3510TB
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LFEC3E-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FG320I
Xilinx Inc.
XC4005XL-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4005XL-3PQ208I
Xilinx Inc.
AX250-1FGG484
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F40I3LN
Intel
5SGSED6N2F45C3N
Intel
XC6VLX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation