casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU6JL-5702M3/51
codice articolo del costruttore | GBU6JL-5702M3/51 |
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Numero di parte futuro | FT-GBU6JL-5702M3/51 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU6JL-5702M3/51 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3.8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 6A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU6JL-5702M3/51 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU6JL-5702M3/51-FT |
G3SBA80L-6000E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA80L-6000M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G5SBA60L-6088E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G5SBA60L-6088M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL06-3E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL06L-5303E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL06L-5305E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL06L-5306E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL06L-5308E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL06L-5600E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
EP1K50TI144-2
Intel
XCV200-6FG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-1BG272I
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
EP3C5F256I7
Intel
XC4006E-4PC84I
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation