casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU6JL-5702E3/51
codice articolo del costruttore | GBU6JL-5702E3/51 |
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Numero di parte futuro | FT-GBU6JL-5702E3/51 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU6JL-5702E3/51 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3.8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 6A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU6JL-5702E3/51 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU6JL-5702E3/51-FT |
G3SBA60L-6841E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-6841M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA80L-6000E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA80L-6000M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G5SBA60L-6088E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G5SBA60L-6088M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL06-3E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL06L-5303E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL06L-5305E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL06L-5306E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
M1AGL1000V2-FGG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
EP4CE55F23C8L
Intel
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XA6SLX4-3CSG225I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EP1K10QC208-2N
Intel