casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU6B-M3/51
codice articolo del costruttore | GBU6B-M3/51 |
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Numero di parte futuro | FT-GBU6B-M3/51 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU6B-M3/51 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 6A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU6B-M3/51 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU6B-M3/51-FT |
GSIB6A80-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB6A80N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSIB10A20-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSIB10A40-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSIB10A60-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSIB10A80-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSIB1520-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSIB1540-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSIB1560-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSIB1580-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016ATC100-2
Intel
EP4CE22F17C8LN
Intel
EPF10K100EFC256-2X
Intel
EP3SE110F1152I4
Intel
XC7VX1140T-L2FLG1930E
Xilinx Inc.
AGL060V5-QNG132I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40I1SG
Intel