codice articolo del costruttore | GBU4M |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-GBU4M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU4M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 4A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU4M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU4M-FT |
GBL02
GeneSiC Semiconductor
GBL06
GeneSiC Semiconductor
DB103G
GeneSiC Semiconductor
BR81
GeneSiC Semiconductor
BR62
GeneSiC Semiconductor
DFB25100
ON Semiconductor
DFB2080
ON Semiconductor
DFB2540
ON Semiconductor
DFB2040
ON Semiconductor
DFB2580
ON Semiconductor
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
EP3SL340H1152I4LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP2SGX60DF780C3N
Intel