casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU1010
codice articolo del costruttore | GBU1010 |
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Numero di parte futuro | FT-GBU1010 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU1010 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU1010 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU1010-FT |
MB156-F
Diodes Incorporated
MB2505
Diodes Incorporated
MB2505-F
Diodes Incorporated
MB251
Diodes Incorporated
MB251-F
Diodes Incorporated
MB252
Diodes Incorporated
MB254
Diodes Incorporated
MB254-F
Diodes Incorporated
MB256
Diodes Incorporated
MB3505
Diodes Incorporated
XC4010XL-1PQ100I
Xilinx Inc.
XC7K160T-3FBG676E
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C5U256C6N
Intel
EP4CGX15BF14C6
Intel
AGL125V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation