casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU1001TB
codice articolo del costruttore | GBU1001TB |
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Numero di parte futuro | FT-GBU1001TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU1001TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-ESIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU1001TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU1001TB-FT |
GBU402 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU402HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU403 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU403HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU404 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU404HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU405HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU406HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU601 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU601HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
AX1000-1FG484
Microsemi Corporation
EP3C16U256I7
Intel
5SGXMA4K2F40C2N
Intel
5SGXMA7N1F45I2N
Intel
XC4VLX60-11FF1148C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-11FFG672I
Xilinx Inc.
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHC-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C5N
Intel