casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU1001TB
codice articolo del costruttore | GBU1001TB |
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Numero di parte futuro | FT-GBU1001TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU1001TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-ESIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU1001TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU1001TB-FT |
GBU402 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU402HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU403 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU403HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU404 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU404HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU405HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU406HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU601 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU601HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
AT6002A-2AC
Microchip Technology
XC2VP30-6FG676I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256I
Microsemi Corporation
MPF300TL-FCG484E
Microsemi Corporation
5AGXMA7D4F27C5N
Intel
LFE2M35SE-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324C6N
Intel
EPF10K30RI208-4
Intel
EP4SGX290FF35I3
Intel