casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBPC5008-G
codice articolo del costruttore | GBPC5008-G |
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Numero di parte futuro | FT-GBPC5008-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBPC5008-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 50A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 25A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | QC Terminal |
Pacchetto / caso | 4-Square, GBPC |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBPC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC5008-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBPC5008-G-FT |
DF15005S
Diodes Incorporated
DF1501S
Diodes Incorporated
DF1502S
Diodes Incorporated
DF1508S
Diodes Incorporated
DF1510S
Diodes Incorporated
DF08M
Diodes Incorporated
DF04M
Diodes Incorporated
DF02M
Diodes Incorporated
DF06M
Diodes Incorporated
DF10M
Diodes Incorporated
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240
Microsemi Corporation
A1020B-2PLG68I
Microsemi Corporation
EP2S60F672I4N
Intel
5SGXEA4K3F40I3N
Intel
EP3C16E144I7N
Intel
XC5VSX35T-3FFG665C
Xilinx Inc.
XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP6C-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF29I3G
Intel