casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBPC3510W-G
codice articolo del costruttore | GBPC3510W-G |
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Numero di parte futuro | FT-GBPC3510W-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBPC3510W-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 17.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-Square, GBPC-W |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBPC-W |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC3510W-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBPC3510W-G-FT |
DF1508S
Diodes Incorporated
DF1510S
Diodes Incorporated
DF08M
Diodes Incorporated
DF04M
Diodes Incorporated
DF02M
Diodes Incorporated
DF06M
Diodes Incorporated
DF10M
Diodes Incorporated
DF01M
Diodes Incorporated
DF15005M
Diodes Incorporated
DF1501M
Diodes Incorporated
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EP3C16U484C7
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
10AX027E2F27E2SG
Intel
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP20K400ERC208-1
Intel