casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBPC3510-G
codice articolo del costruttore | GBPC3510-G |
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Numero di parte futuro | FT-GBPC3510-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBPC3510-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 17.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | QC Terminal |
Pacchetto / caso | 4-Square, GBPC |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBPC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC3510-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBPC3510-G-FT |
DF1510S
Diodes Incorporated
DF08M
Diodes Incorporated
DF04M
Diodes Incorporated
DF02M
Diodes Incorporated
DF06M
Diodes Incorporated
DF10M
Diodes Incorporated
DF01M
Diodes Incorporated
DF15005M
Diodes Incorporated
DF1501M
Diodes Incorporated
DF1502M
Diodes Incorporated
A54SX32A-TQ144I
Microsemi Corporation
XC2V250-4FGG256C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AX250-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F484I7
Intel
5SGXEABK3H40C4N
Intel
XCV150-5BG256C
Xilinx Inc.
LFEC3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation