casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBPC3506-G
codice articolo del costruttore | GBPC3506-G |
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Numero di parte futuro | FT-GBPC3506-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBPC3506-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | QC Terminal |
Pacchetto / caso | 4-Square, GBPC |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBPC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC3506-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBPC3506-G-FT |
DF06M
Diodes Incorporated
DF10M
Diodes Incorporated
DF01M
Diodes Incorporated
DF15005M
Diodes Incorporated
DF1501M
Diodes Incorporated
DF1502M
Diodes Incorporated
DF1504M
Diodes Incorporated
DF1506M
Diodes Incorporated
DF1508M
Diodes Incorporated
DF1510M
Diodes Incorporated
AX1000-1FG484
Microsemi Corporation
EP3C16U256I7
Intel
5SGXMA4K2F40C2N
Intel
5SGXMA7N1F45I2N
Intel
XC4VLX60-11FF1148C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-11FFG672I
Xilinx Inc.
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHC-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C5N
Intel