casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBPC3502T
codice articolo del costruttore | GBPC3502T |
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Numero di parte futuro | FT-GBPC3502T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBPC3502T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 12.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | QC Terminal |
Pacchetto / caso | 4-Square, GBPC-T |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBPC-T |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC3502T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBPC3502T-FT |
KBU4D
ON Semiconductor
KBU4G
ON Semiconductor
KBU4J
ON Semiconductor
KBU4K
ON Semiconductor
KBU4M
ON Semiconductor
2KBP005M
ON Semiconductor
2KBP01M
ON Semiconductor
2KBP02M
ON Semiconductor
2KBP04M
ON Semiconductor
2KBP06M
ON Semiconductor
EPF10K50ETC144-2
Intel
XC3S2000-4FG456I
Xilinx Inc.
A3P125-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFI484-2
Intel
XC7K410T-1FF900C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S3F45E2LG
Intel
EP20K1000EBC652-1X
Intel