casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBPC3502T
codice articolo del costruttore | GBPC3502T |
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Numero di parte futuro | FT-GBPC3502T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBPC3502T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 12.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | QC Terminal |
Pacchetto / caso | 4-Square, GBPC-T |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBPC-T |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC3502T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBPC3502T-FT |
KBU4D
ON Semiconductor
KBU4G
ON Semiconductor
KBU4J
ON Semiconductor
KBU4K
ON Semiconductor
KBU4M
ON Semiconductor
2KBP005M
ON Semiconductor
2KBP01M
ON Semiconductor
2KBP02M
ON Semiconductor
2KBP04M
ON Semiconductor
2KBP06M
ON Semiconductor
XC6SLX150T-N3CSG484I
Xilinx Inc.
XC2S150-5FG456C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FG484I
Microsemi Corporation
APA600-FG484A
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I4N
Intel
EP4SE820F43I3
Intel
LCMXO256C-5MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50QC208-3
Intel
EPF6016AQC208-2
Intel
EP20K1000CF33C9ES
Intel