casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBPC2510W
codice articolo del costruttore | GBPC2510W |
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Numero di parte futuro | FT-GBPC2510W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBPC2510W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 12.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-Square, GBPC-W |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBPC-W |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC2510W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBPC2510W-FT |
VUO110-12NO7
IXYS
VUO110-16NO7
IXYS
VUM33-05N
IXYS
VUM24-05N
IXYS
VUE75-06NO7
IXYS
VBO13-12AO2
IXYS
VBO13-16AO2
IXYS
VBO20-16AO2
IXYS
VBO13-14AO2
IXYS
VBO13-14NO2
IXYS
XC6SLX150T-N3FGG484C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C2LN
Intel
10AX048H2F34E2SG
Intel
A40MX04-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35E3SG
Intel
EP20K160EQI240-3
Intel
EP1K50QC208-2
Intel