casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBPC2510W-G
codice articolo del costruttore | GBPC2510W-G |
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Numero di parte futuro | FT-GBPC2510W-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBPC2510W-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 12.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-Square, GBPC-W |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBPC-W |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC2510W-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBPC2510W-G-FT |
SCBA05
Semtech Corporation
SCBA05F
Semtech Corporation
SCBA10FF
Semtech Corporation
SCBA2
Semtech Corporation
SCBA2F
Semtech Corporation
SCBA4
Semtech Corporation
SCBA4F
Semtech Corporation
SCBA6
Semtech Corporation
SCBAR05
Semtech Corporation
SCBAR1
Semtech Corporation
LFEC3E-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FG320I
Xilinx Inc.
XC4005XL-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4005XL-3PQ208I
Xilinx Inc.
AX250-1FGG484
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F40I3LN
Intel
5SGSED6N2F45C3N
Intel
XC6VLX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation