casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBPC2508W-G
codice articolo del costruttore | GBPC2508W-G |
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Numero di parte futuro | FT-GBPC2508W-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBPC2508W-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1.2A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-Square, GBPC-W |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBPC-W |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC2508W-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBPC2508W-G-FT |
SCAS4F
Semtech Corporation
SCAS6
Semtech Corporation
SCBA05
Semtech Corporation
SCBA05F
Semtech Corporation
SCBA10FF
Semtech Corporation
SCBA2
Semtech Corporation
SCBA2F
Semtech Corporation
SCBA4
Semtech Corporation
SCBA4F
Semtech Corporation
SCBA6
Semtech Corporation
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC6SLX75-L1FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-5SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-1PLG68
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA3K2F40I3N
Intel
XC6VLX75T-1FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ350FF35I3N
Intel