casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBPC2506W-G
codice articolo del costruttore | GBPC2506W-G |
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Numero di parte futuro | FT-GBPC2506W-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBPC2506W-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 12.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-Square, GBPC-W |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBPC-W |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC2506W-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBPC2506W-G-FT |
SCAJ6
Semtech Corporation
SCAS15FF
Semtech Corporation
SCAS4F
Semtech Corporation
SCAS6
Semtech Corporation
SCBA05
Semtech Corporation
SCBA05F
Semtech Corporation
SCBA10FF
Semtech Corporation
SCBA2
Semtech Corporation
SCBA2F
Semtech Corporation
SCBA4
Semtech Corporation
AX1000-1FG484
Microsemi Corporation
EP3C16U256I7
Intel
5SGXMA4K2F40C2N
Intel
5SGXMA7N1F45I2N
Intel
XC4VLX60-11FF1148C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-11FFG672I
Xilinx Inc.
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHC-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C5N
Intel