casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBPC1506W-G
codice articolo del costruttore | GBPC1506W-G |
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Numero di parte futuro | FT-GBPC1506W-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBPC1506W-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 7.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-Square, GBPC-W |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBPC-W |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC1506W-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBPC1506W-G-FT |
SC3BK1
Semtech Corporation
SC3BK1F
Semtech Corporation
SC3BK2
Semtech Corporation
SC3BK4
Semtech Corporation
SCAJ05
Semtech Corporation
SCAJ05F
Semtech Corporation
SCAJ05FF
Semtech Corporation
SCAJ10FF
Semtech Corporation
SCAJ15FF
Semtech Corporation
SCAJ1F
Semtech Corporation
LCMXO2-2000HC-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A35T-3FTG256E
Xilinx Inc.
XC7A12T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K10FC256-2N
Intel
5SGSMD5H3F35C2L
Intel
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FTQ100
Microsemi Corporation
EP1S40F1508C7N
Intel