casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBPC1208
codice articolo del costruttore | GBPC1208 |
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Numero di parte futuro | FT-GBPC1208 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBPC1208 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 6A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | QC Terminal |
Pacchetto / caso | 4-Square, GBPC |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBPC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC1208 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBPC1208-FT |
GBPC5001W
GeneSiC Semiconductor
GBPC5002W
GeneSiC Semiconductor
GBPC5004W
GeneSiC Semiconductor
GBPC5006W
GeneSiC Semiconductor
GBPC5008W
GeneSiC Semiconductor
GBPC5010W
GeneSiC Semiconductor
GBPC2508T
GeneSiC Semiconductor
GBPC2504T
GeneSiC Semiconductor
GBPC2506T
GeneSiC Semiconductor
GBPC1510T
GeneSiC Semiconductor
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
EP3SL340H1152I4LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP2SGX60DF780C3N
Intel