casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBPC12005
codice articolo del costruttore | GBPC12005 |
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Numero di parte futuro | FT-GBPC12005 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBPC12005 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 6A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | QC Terminal |
Pacchetto / caso | 4-Square, GBPC |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBPC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC12005 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBPC12005-FT |
GBPC1508W
GeneSiC Semiconductor
GBPC25005W
GeneSiC Semiconductor
GBPC50005W
GeneSiC Semiconductor
GBPC5001W
GeneSiC Semiconductor
GBPC5002W
GeneSiC Semiconductor
GBPC5004W
GeneSiC Semiconductor
GBPC5006W
GeneSiC Semiconductor
GBPC5008W
GeneSiC Semiconductor
GBPC5010W
GeneSiC Semiconductor
GBPC2508T
GeneSiC Semiconductor
XC6SLX9-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC4025E-4HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
EPF10K200EBC600-1
Intel
5SGXMB6R3F43C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
5AGXBB1D6F35C6N
Intel