casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBL10HD2G
codice articolo del costruttore | GBL10HD2G |
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Numero di parte futuro | FT-GBL10HD2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GBL10HD2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 4A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBL |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBL |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBL10HD2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBL10HD2G-FT |
DBLS205GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS206GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS206GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS207GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS207GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS208GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS208GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS209GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS209GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
HDBLS101G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
EP1K50TI144-2
Intel
XCV200-6FG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-1BG272I
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
EP3C5F256I7
Intel
XC4006E-4PC84I
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation