casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBL10HD2G
codice articolo del costruttore | GBL10HD2G |
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Numero di parte futuro | FT-GBL10HD2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GBL10HD2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 4A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBL |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBL |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBL10HD2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBL10HD2G-FT |
DBLS205GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS206GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS206GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS207GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS207GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS208GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS208GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS209GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS209GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
HDBLS101G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD5K1F40C2L
Intel
EP4SGX290KF43I4N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
XC4VFX100-10FF1152C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel