casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBL08-E3/45
codice articolo del costruttore | GBL08-E3/45 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-GBL08-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBL08-E3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 2A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBL |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBL |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBL08-E3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBL08-E3/45-FT |
GBU4B-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU8G-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6J-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU8D-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU8M-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU8B-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6C-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6C-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA20-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA20-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD5K1F40C2L
Intel
EP4SGX290KF43I4N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
XC4VFX100-10FF1152C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel