casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBL08-5300E3/51
codice articolo del costruttore | GBL08-5300E3/51 |
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Numero di parte futuro | FT-GBL08-5300E3/51 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBL08-5300E3/51 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 4A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBL |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBL |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBL08-5300E3/51 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBL08-5300E3/51-FT |
CBR6A-080
Central Semiconductor Corp
CBR6F-010
Central Semiconductor Corp
CBR6F-020
Central Semiconductor Corp
CBR6F-040
Central Semiconductor Corp
CBR6F-060
Central Semiconductor Corp
CBR6F-080
Central Semiconductor Corp
CBR6F-100
Central Semiconductor Corp
CBRHD-10 BK
Central Semiconductor Corp
CBRLD1-02 BK
Central Semiconductor Corp
CBRLD1-04 BK
Central Semiconductor Corp
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25U256I7N
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
LFE3-70E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel