casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBL02-E3/51
codice articolo del costruttore | GBL02-E3/51 |
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Numero di parte futuro | FT-GBL02-E3/51 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBL02-E3/51 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 4A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBL |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBL |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBL02-E3/51 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBL02-E3/51-FT |
GBU8D-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU8M-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU8B-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6C-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6C-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA20-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA20-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA80-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-640HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-1FG256I
Microsemi Corporation
EP4S100G2F40I1N
Intel
AGLP030V2-CS289
Microsemi Corporation
AGL1000V5-CS281
Microsemi Corporation
AGL400V5-CSG196I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C8
Intel