casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBJL2006-BP
codice articolo del costruttore | GBJL2006-BP |
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Numero di parte futuro | FT-GBJL2006-BP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJL2006-BP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 10A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJL2006-BP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBJL2006-BP-FT |
SBR1
Semtech Corporation
SBR10
Semtech Corporation
SBR10F
Semtech Corporation
SBR1F
Semtech Corporation
SBR2
Semtech Corporation
SBR2F
Semtech Corporation
SBR4
Semtech Corporation
SBR4F
Semtech Corporation
SBR6F
Semtech Corporation
SC3AS15FF
Semtech Corporation
A40MX02-VQ80I
Microsemi Corporation
XC2VP70-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1FG484I
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGTMC5K2F40C2N
Intel
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFXP20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EBC356-2
Intel