casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBJL2001-BP
codice articolo del costruttore | GBJL2001-BP |
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Numero di parte futuro | FT-GBJL2001-BP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJL2001-BP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 10A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJL2001-BP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBJL2001-BP-FT |
SBMC6
Semtech Corporation
SBMC6F
Semtech Corporation
SBR05
Semtech Corporation
SBR1
Semtech Corporation
SBR10
Semtech Corporation
SBR10F
Semtech Corporation
SBR1F
Semtech Corporation
SBR2
Semtech Corporation
SBR2F
Semtech Corporation
SBR4
Semtech Corporation
LFXP3C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG256I
Microsemi Corporation
XC4020XL-09HT176C
Xilinx Inc.
EP3C55F484C6N
Intel
10M02SCE144C7G
Intel
5AGXMA3D4F27C4N
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H2F34I1SG
Intel