casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBJL2001-BP
codice articolo del costruttore | GBJL2001-BP |
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Numero di parte futuro | FT-GBJL2001-BP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJL2001-BP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 10A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJL2001-BP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBJL2001-BP-FT |
SBMC6
Semtech Corporation
SBMC6F
Semtech Corporation
SBR05
Semtech Corporation
SBR1
Semtech Corporation
SBR10
Semtech Corporation
SBR10F
Semtech Corporation
SBR1F
Semtech Corporation
SBR2
Semtech Corporation
SBR2F
Semtech Corporation
SBR4
Semtech Corporation
EP2C5T144I8
Intel
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SFC256-1X
Intel
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
XC5VLX50-1FFG324CES
Xilinx Inc.
XC4VLX15-12FFG676C
Xilinx Inc.
XC6VSX475T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
AX500-FGG676I
Microsemi Corporation
EP4SE230F29C2
Intel