casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBJL1510
codice articolo del costruttore | GBJL1510 |
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Numero di parte futuro | FT-GBJL1510 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJL1510 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 7.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBJL |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBJL |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJL1510 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBJL1510-FT |
TS40P06GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P06GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P07G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P07GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P07GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS50P05G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS50P06G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS50P06GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS10-HF
Comchip Technology
ABS10TR
SMC Diode Solutions
A54SX16A-FPQ208
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC672-3
Intel
10M50DAF484C6GES
Intel
5SEE9F45C2L
Intel
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
EP4SE360F35I4
Intel
XC4VSX55-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation