casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBJ2506-F
codice articolo del costruttore | GBJ2506-F |
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Numero di parte futuro | FT-GBJ2506-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ2506-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 12.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2506-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBJ2506-F-FT |
MB251
Diodes Incorporated
MB251-F
Diodes Incorporated
MB252
Diodes Incorporated
MB254
Diodes Incorporated
MB254-F
Diodes Incorporated
MB256
Diodes Incorporated
MB3505
Diodes Incorporated
MB3505-F
Diodes Incorporated
MB351
Diodes Incorporated
MB351-F
Diodes Incorporated
EPF10K50ETC144-2
Intel
XC3S2000-4FG456I
Xilinx Inc.
A3P125-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFI484-2
Intel
XC7K410T-1FF900C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S3F45E2LG
Intel
EP20K1000EBC652-1X
Intel