casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBJ1010TB
codice articolo del costruttore | GBJ1010TB |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-GBJ1010TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ1010TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-ESIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1010TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBJ1010TB-FT |
RMB2S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS2HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS4HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB4S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB4SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB6SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS10HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS2 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
LFEC3E-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FG320I
Xilinx Inc.
XC4005XL-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4005XL-3PQ208I
Xilinx Inc.
AX250-1FGG484
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F40I3LN
Intel
5SGSED6N2F45C3N
Intel
XC6VLX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation