casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBJ10005-G
codice articolo del costruttore | GBJ10005-G |
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Numero di parte futuro | FT-GBJ10005-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ10005-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ10005-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBJ10005-G-FT |
ZXSBMR16PT8TA
Diodes Incorporated
PBU1007
Diodes Incorporated
PBU805
Diodes Incorporated
RS602
Diodes Incorporated
RS605
Diodes Incorporated
PBPC1001
Diodes Incorporated
PBPC1002
Diodes Incorporated
PBPC1003
Diodes Incorporated
PBPC1004
Diodes Incorporated
PBPC1005
Diodes Incorporated
XC4010XL-3TQ144I
Xilinx Inc.
XCV200E-8FG456C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA484C
Xilinx Inc.
M1AFS600-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4
Intel
5SGXEA3K3F40C3N
Intel
LFXP3C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB7G6F35C6N
Intel
EP3SL70F780I3
Intel