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codice articolo del costruttore | G8JR-1A7T-R-GM03 DC12 ODI |
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Numero di parte futuro | FT-G8JR-1A7T-R-GM03 DC12 ODI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | G8JR |
G8JR-1A7T-R-GM03 DC12 ODI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di bobina | Non Latching |
Bobina di corrente | - |
Voltaggio della bobina | 12VDC |
Modulo di Contatto | SPST-NO (1 Form A) |
Rating del contatto (corrente) | 50A |
Tensione di commutazione | 16VDC - Max |
Accensione Tensione (max) | 8 VDC |
Spegnere la tensione (min) | 1 VDC |
Operare tempo | 20ms |
Tempo di rilascio | 20ms |
Caratteristiche | Resistor |
Tipo di montaggio | Socketable |
Stile di terminazione | Plug In |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
G8JR-1A7T-R-GM03 DC12 ODI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | G8JR-1A7T-R-GM03 DC12 ODI-FT |
CB1V-R-12V
Panasonic Electric Works
CB1VF-12V
Panasonic Electric Works
CB1VF-24V
Panasonic Electric Works
CB1VF-D-12V
Panasonic Electric Works
CB1VF-D-24V
Panasonic Electric Works
CB1VF-R-12V
Panasonic Electric Works
CB1VF-R-24V
Panasonic Electric Works
CP1AH-12V
Panasonic Electric Works
CP1H-12V
Panasonic Electric Works
CP1H-N-12V
Panasonic Electric Works
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL005-1FG484
Microsemi Corporation
M1AFS1500-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO640C-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-1VQ100
Microsemi Corporation
10M16SCU169A7P
Intel
5SGXMA7H3F35I4N
Intel
EP2SGX60EF1152C5N
Intel
LAE3-35EA-6LFN672E
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35I4
Intel