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codice articolo del costruttore | G8JR-1A7T-D-DC12 |
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Numero di parte futuro | FT-G8JR-1A7T-D-DC12 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | G8JR |
G8JR-1A7T-D-DC12 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di bobina | Non Latching |
Bobina di corrente | - |
Voltaggio della bobina | 12VDC |
Modulo di Contatto | SPST-NO (1 Form A) |
Rating del contatto (corrente) | 50A |
Tensione di commutazione | 16VDC - Max |
Accensione Tensione (max) | 8 VDC |
Spegnere la tensione (min) | 1 VDC |
Operare tempo | 20ms |
Tempo di rilascio | 20ms |
Caratteristiche | Diode |
Tipo di montaggio | Socketable |
Stile di terminazione | Plug In |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
G8JR-1A7T-D-DC12 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | G8JR-1A7T-D-DC12-FT |
AEV18012
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XC6SLX75-3CSG484C
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XC2V2000-5FG676I
Xilinx Inc.
AGL030V2-VQG100I
Microsemi Corporation
10M50DAF484I6G
Intel
EP3SL110F1152C2N
Intel
A1020B-1PLG44I
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C6NES
Intel