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codice articolo del costruttore | G8JR-1A5T-R-DC12 |
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Numero di parte futuro | FT-G8JR-1A5T-R-DC12 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | G8JR |
G8JR-1A5T-R-DC12 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di bobina | Non Latching |
Bobina di corrente | - |
Voltaggio della bobina | 12VDC |
Modulo di Contatto | SPST-NO (1 Form A) |
Rating del contatto (corrente) | 50A |
Tensione di commutazione | 16VDC - Max |
Accensione Tensione (max) | 8 VDC |
Spegnere la tensione (min) | 1 VDC |
Operare tempo | 20ms |
Tempo di rilascio | 20ms |
Caratteristiche | Resistor |
Tipo di montaggio | Socketable |
Stile di terminazione | Plug In |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
G8JR-1A5T-R-DC12 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | G8JR-1A5T-R-DC12-FT |
AEV18012W
Panasonic Electric Works
AEV18012
Panasonic Electric Works
AEV18024
Panasonic Electric Works
AEV17024
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AEV17012
Panasonic Electric Works
AEV14024W
Panasonic Electric Works
AEV14012W
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AEV14012
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AEV110242
Panasonic Electric Works
AEV110122
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XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC672-1X
Intel
EP3C16U484I7N
Intel
EP2SGX60EF1152C4
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XC7VX690T-2FF1761C
Xilinx Inc.
LFE2M35E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U2F45E2SG
Intel
10M04SAM153C8G
Intel
EP2C8Q208I8
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