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codice articolo del costruttore | G8JN-1C6T-R-DC12 |
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Numero di parte futuro | FT-G8JN-1C6T-R-DC12 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | G8JN |
G8JN-1C6T-R-DC12 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di bobina | Non Latching |
Bobina di corrente | - |
Voltaggio della bobina | 12VDC |
Modulo di Contatto | SPDT (1 Form C) |
Rating del contatto (corrente) | 35A |
Tensione di commutazione | 16VDC - Max |
Accensione Tensione (max) | 8 VDC |
Spegnere la tensione (min) | 1 VDC |
Operare tempo | 20ms |
Tempo di rilascio | 10ms |
Caratteristiche | Resistor |
Tipo di montaggio | Socketable |
Stile di terminazione | Plug In, Quick Connect - 0.250" (6.3mm) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
G8JN-1C6T-R-DC12 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | G8JN-1C6T-R-DC12-FT |
AEP310X0
Panasonic Electric Works
AEP19024
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AEP18024
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ACV32012
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ACV31012
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ACV11012
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ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
M1A3P250-VQG100
Microsemi Corporation
EP1S20F672I7
Intel
10M16DCF484I7G
Intel
EP3C80U484C8
Intel
EP4CGX30BF14C8
Intel
XC5VSX50T-3FFG665C
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FGG676
Microsemi Corporation
5SGSMD3H2F35C2N
Intel