casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / G5SBA80-M3/51
codice articolo del costruttore | G5SBA80-M3/51 |
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Numero di parte futuro | FT-G5SBA80-M3/51 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
G5SBA80-M3/51 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2.8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 3A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
G5SBA80-M3/51 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | G5SBA80-M3/51-FT |
GSIB2020N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2040-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2040N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2060-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2060N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2080N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2520N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2540N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2560N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB620N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-VQ80I
Microsemi Corporation
XC2VP70-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1FG484I
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGTMC5K2F40C2N
Intel
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFXP20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EBC356-2
Intel