casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / FUO22-12N
codice articolo del costruttore | FUO22-12N |
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Numero di parte futuro | FT-FUO22-12N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FUO22-12N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 28A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.62V @ 30A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | i4-Pac™-5 |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS i4-PAC™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FUO22-12N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FUO22-12N-FT |
VBO72-08NO7
IXYS
VBO72-12NO7
IXYS
VBO72-16NO7
IXYS
VBO72-18NO7
IXYS
VUO62-08NO7
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VUO62-12NO7
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VUO62-14NO7
IXYS
VUO62-18NO7
IXYS
VUO82-08NO7
IXYS
VUO82-12NO7
IXYS
XCS20XL-5VQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208
Microsemi Corporation
EP20K160EFI484-2X
Intel
EP3SL200H780C4L
Intel
EP3C5E144C7
Intel
A40MX02-3PLG44
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F40I3LG
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel